HfO2薄膜相关论文
研究了高k介质HfO2薄膜制备工艺和石墨烯原位沉积工艺的结合.采用真空电子束蒸镀在重掺杂Si衬底上室温沉积HfO2薄膜,并对薄膜样品......
充氧口位置直接影响了真空室内的氧气分布，进而对薄膜的光学性能造成重要影响。为了研究充氧口位置对HfO2薄膜性质的影响，在2个典型......
近年来,许多便携式、可穿戴、可植入式的电子设备已经融入到我们的日常生活中。构成这些设备的关键部件有能量收集器、能量存储元......
用电子束蒸发沉积在K9玻璃基底上镀制HfO2薄膜,沉积温度为200℃,蒸发速率为0.03nm/s。由X射线衍射谱可知薄膜出现明显结晶,且为单......
激光系统中的光学薄膜极易受到高能激光的辐照而产生热损伤，因此研究长脉冲激光作用下光学薄膜的温度场非常重要。建立了二维轴对称......
HfO_2薄膜被广泛应用于微电子、光学以及信息技术等高新技术领域,由于各种边界效应等因素的影响其热特性参数通常与体材料有很大的......
随着半导体工艺尺寸的不断减小,具有高保形性、膜厚精确可控的原子层沉积技术得到了更多的重视。然而,随之而来的图形密度与工艺复......
蓝宝石晶体是中波红外探测窗口的常见候选材料之一，但其透过率还不能完全满足未来高精度成像的发展趋势，且其表面疏水性能较差，这在一......
本文利用ORTUS-700电子束真空镀膜设备和X射线衍射仪、原子力显微镜、X射线光电子能谱分析仪等多种分析方法,系统研究了用真空物理......
本论文采用反应射频磁控溅射技术制备了一系列不同衬底温度的HfO2薄膜及不同Gd掺杂量的HfGdO薄膜,其中对于HfGdO薄膜,通过改变Gd靶......
采用电子束蒸发沉积方法在BK7玻璃基底和熔融石英基底上沉积了HfO2薄膜,研究了不同沉积温度下的应力变化规律。利用ZYGO干涉仪测量......
采用化学法制备了HfO2介质膜,研究了热处理、紫外辐照以及Al2O3复合对HfO2介质膜激光损伤阈值的影响.采用红外光谱(FTIR)和X射线衍......
薄膜应力的存在是薄膜材料的本征特性,对过程中薄膜应力的测量与精确控制具有重要意义.搭建了基于双光束偏转基底曲率测量装置,再......
氧化铪(HfO2)是一种简单的二元金属氧化物,具有宽禁带、高介电常数、高折射率、高透射、高抗激光损伤和高熔点等特点,在光电器件领......
随着现代集成电路的发展,传统的SiO2材料将不能适应现代工艺的需要。人们就提出了要以其他具有高介电常数的材料来代替SiO2,高K氧......
采用射频磁控反应溅射法,以高纯Hf为靶材、高纯O2为反应气体,成功地在p型硅衬底上制备了高k栅介质HfO2薄膜,并对薄膜的沉积速率、......
采用水热合成技术制备了HfO2胶体，用旋涂法镀制了单层HfO2介质膜．采用多种仪器设备对薄膜进行性能测试和表征，并用输出波长为1．06μm、......
采用射频磁控溅射法在无氧和有氧气氛下制备了HfO2薄膜。通过X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、傅......
用电子束蒸发方法沉积HfO2薄膜,用X射线衍射和透射光谱测定HfO2薄膜的结构特征和光学性能,并测定薄膜的弱吸收和损伤阈值。结果表......
采用等离子氧化金属薄膜法制备了HfO2栅介质薄膜,并研究了HfO2栅介质薄膜的微结构和表面形态随退火温度的变化而发生的变化规律。......
采用射频磁控反应溅射法，以高纯热压HfO2陶瓷为靶材，在Si衬底上成功制备出HfO2薄膜。系统研究了工艺参数对薄膜沉积速率的影响规律，并......
在有氧和无氧气氛条件下，采用真空电子束热蒸发技术在P—Si（100）硅衬底上制备了HfO2薄膜．利用X射线光电子能谱，对薄膜的化学组分进行表......
为了得到HfO2薄膜性能与工艺参数之间的关系,采用直流反应磁控溅射法在室温下沉积HfO2薄膜.通过正交实验分析了靶功率、靶基距和氩......
为了研究退火温度对HfO2薄膜应力、光学常数和表面粗糙度的影响，采用电子枪蒸镀法制备了薄膜样品，在不同温度下进行了退火处理。利用......
采用水热合成技术，制备了HfO2胶体，用旋涂法镀制了单层HfO2介质膜。采用XRD，椭偏仪，红外光谱（FTIR）等方法对薄膜进行了测试和表征，用输出......
利用电子束蒸发法制备了单层HfO2膜，控制氧气流量从0mL／min以步长5mL／min递增至25mL／min（标况下）。利用ZYGO干涉仪测量基片镀膜前后的面......
以目前激光惯性约束聚变中应用最广泛的高折射率材料二氧化铪（HfO。）为研究对象，在熔石英基底上分别采用TEMAH和HfClt前驱体制备了HfO......
随着科学技术的不断发展,人们对光电子器件、半导体器件在性能和尺寸上要求越来越高,从而引发对纳米薄膜材料的研究热潮。氧化铪（Hf......
HfO2薄膜是用电子束蒸发方法制备的，利用ZYGO干涉仪测量了基片镀膜前后曲率半径的变化，计算了薄膜应力。对样品进行了XRD测试，讨论了......
激光元件在大功率激光系统中往往会受到强激光辐照而发生损伤,提升激光元件的负载能力,保证大功率激光系统正常运行具有重要的意义......
作为一种性能稳定的绝缘体，HfO2在电子、光学以及能量相关的领域中有着重要的应用。在本工作中，我们使用反应溅射方法在不同O2／Ar比例......
集成电路的飞速发展促使半导体材料和工艺不断更新换代,对于MOS器件栅极介质材料也提出了更高的要求,传统的SiO2栅极氧化层已逐渐......
采用短波紫外光（UV）在十八烷基三氯硅烷（OTS）自组装单分子层刻蚀不同的微型图案，利用液相自组装技术在OTS模板表面沉积HfO2图案化薄膜。......
用电子束蒸发方法制备了HfO2薄膜,根据镀膜前后基片曲率半径的变化,用Stoney公式计算了薄膜应力,讨论了沉积温度对薄膜残余应力的......
通过电子束蒸发镀膜方法在SiO2（native）/n-Si（100）基底上沉积HfO2薄膜,采用俄歇电子能谱、原子力显微镜、掠入射X射线衍射以及X射线光......
探究HfO2薄膜的激光损伤特性以进一步提高激光损伤阈值（Laser Induced Damage Threshold，简称LIDT），对其在高功率激光系统中的广泛应用......
随着集成电路不断向微小型发展,传统CMOS结构中SiO2栅极氧化层已逐渐不能适合工艺需求。高k材料HfO2薄膜作为潜在替代SiO2栅极电介......
采用射频磁控溅射法分别在不同溅射功率下制备了Hf O2薄膜,基于该组薄膜实现了金属-绝缘体-金属（MIM）电容器原型器件。采用Raman、原......
实验研究了HfO2薄膜特性以及掩模材料AZ1350以Ar为工作气体下的离子束的刻蚀特性.给出了离子能量、离子束流密度和离子束入射角等......
利用电子束蒸发技术制备了氧化铪薄膜,并分别用氧气氛下退火和激光预处理两种后处理方法对样品进行了处理。介绍了两种后处理工艺......
研究了高K(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的制备工艺,制备了有效氧化层厚度为2.9 nm的超薄MOS电容.对电容的电学特性如C-V特性,I-V特......
采用纯铪（Hf）金属靶,在氧和氩反应气氛中进行了HfO2薄膜反应磁控溅射沉积,研究了电源功率、O2/Ar比例和工作气压对薄膜组成及薄膜沉......
摘要：采用纯铪（Hf）金属靶，在氧＋氩反应气氛中进行了HfO2薄膜直流反应磁控溅射沉积。首先在单晶硅片上沉积薄膜，研究工艺参数改变对薄膜的......
利用离子束辅助沉积(IAD)技术制备了单层HfO2薄膜,离子源分别为End-Hall与APS离子源。采用Lambda900分光光度计、可变角光谱椭圆偏......
结合自身实验条件采用电子束蒸发(EBE)、离子束溅射(IBS)和原子层沉积(ALD)三种工艺制备了HfO2薄膜,对其进行退火实验,采用1064 nm......
采用离子束溅射（IBS）方法制备了 HfO2和 Ta2 O5两种金属氧化物薄膜，通过测量薄膜的椭偏参数，使用非线性最小二乘法反演计算获得薄膜的......
讨论了使用阻抗分析仪测量介质薄膜介电性质的方法。通过Agilent 4294A高精度阻抗分析仪、16047A夹具以及探针平台,搭建了介质薄膜......
